Amerikai kutatók olyan csipeket készítettek, amivel terabájtok pakolhatóak az okostelefonokba. Az új típusú memóriában elméletben sokkal több adat tárolható, mint a mostani megoldásban. A dolog nem új, de a Rice University kutatói bemutattak egy sokkal praktikusabb előállítási módot, amivel megkezdődhet a tömeggyártás.

Az úgynevezett RRAM-memóriát (resistive random access memory) rengeteg cég fejleszti (ez lényegében egy speciális memrisztor), a gyártáshoz azonban magas hőmérséklet és nagy feszültség kell, emiatt bonyolult és drága előállítani. A Rice kutatóinak viszont sikerült előállítaniuk RRAM-ot szobahőmérsékleten és alacsonyabb feszültségen.

Ahogy a flashmemória, az RRAM is képes adatot tárolni folyamatos áramellátás nélkül. A flashmemória tranzisztorok töltéseiben tárolja el az információt, az RRAM bitek formájában, az ellenállás segítségével. Minden bitnek kevesebb helyre van szüksége, így sokkal több információ tárolható adott méreten. Ráadásul az RRAM könnyen rétegezhető, ezzel még több adat tárolható el.  Néhány prototípus már most is elég sűrű ahhoz, hogy bélyegméretű csipen egy terabájtot tároljon. Sőt, sokkal gyorsabb, mint a flashmemória.