Az IBM anyagkutatói kitaláltak egy új eljárást, amivel szén nanoszálakból lehet előállítani nagy teljesítményű csipeket. Azt eddig is tudni lehetett, hogy a szén nanocsövek elektromos tulajdonságai meghaladják a szilíciumét, de a velük való munka nehézsége eddig akadályozta a nanoszálakra alapozott csipek előállítását.

James Hannon, az IBM munkatársa a Nature Nanotechnology című szakfolyóiratban ismertette csoportjával végzett kísérleteit, amelyek sikere esetén leváltható lesz a jelenlegi, szilíciumon alapuló technológia. Hannon szerint a gond az, hogy 10-15 éven belül már gyártani kellene az újfajta eszközöket, ehhez azonban pár éven belül meg kell oldani az új technológiával kapcsolatos problémákat. Hannon elmondta, hogy nagyon kevés a működőképes megoldás, és a nanoszálakra épülő ötletek többsége még csak PowerPoint pretentációban létrezik.

Bár laboratóriumi kísérletekben igazolták, hogy az egyedi szén nanocsövek energiahatékonyak és gyorsak, a valódi kihívást az integrációjuk jelenti. A kérdés az, hogy miként lehet rátenni egy csipre a nanocsövek milliárdjait úgy, hogy megfeleljen az ipar által ma elvárt pontosságnak.

Bemutatott eljárásukban az IBM kutatói a csipek előállításánál szokványos technikával martak csatornákat a szilíciumra felvitt hafnium nevű kémiai elembe, majd a csipet egymás után belemártották két különböző oldatba: az első vegyület bevonja a nanoszálakat, és azokat vízben oldhatóvá teszi, a másik vegyület pedig kötést épít ki az első vegyület és a hafnium között, de a szilíciumhoz nem tud kapcsolódni. Így a nanoszálak csak a csip hafniummal bevont felületéhez tudtak kapcsolódni.

Az elkészült mintadarabban a nanocsövek megfelelő mintázatot mutattak, sűrűségük pedig négyzetcentiméterenként 1 milliárd körül volt. A demonstrált eredmény hatalmas előrelépés, de még nagyon sok függőben lévő kérdést meg kell oldani. Hannon szerint ennél tízszer nagyobb sűrűséget kellene elérni, de az eljárásuknak máris százszor jobb az eredménye, mint amit mások eddig el tudtak érni.