Sikerrel zárta a Magyar Tudományos Akadémia Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutatóintézete (MTA MFA) azt a 11 európai ország 23 szervezetének részvételével megvalósult fejlesztést, amiben a cél olyan új eszközök alkotása volt, amelyek extrém magas hőmérséklet mellett és szélsőségesen nagy elektromos mezőkben is alkalmasak elektronikai eszközök és szenzorok működtetésére.
Szélsőséges körülmények között, amilyenek például a világűrben vagy egy repülőgép hajtóművében uralkodnak, az elektronikus eszközök, számítógépek csak speciális alkatrészekkel képesek működni. A Lengyelország, Magyarország, Németország, Svájc, Svédország és Szlovákia részvételével közel 14 millió euró európai finanszírozással három évvel ezelőtt elindult MORGaN (Materials for Robust Gallium Nitride) projekt nagyfrekvencián működő nagy teljesítményű gallium nitrid alapú tranzisztorok előállítását tűzte ki célul, amelyek extrém környezetben is megbízhatóan működnek.
A feladat kritikus pontja volt, hogy lényeges méretcsökkenést nagy teljesítményű eszközöknél kellett elérni, azonban ilyenkor az áramköri elemekben nagy hő keletkezik. A melegedést hőelvezetéssel kell megoldani, erre pedig a gyémánt kiválóan használható. Az MFA nehezen megvalósítható feladatot végzett el: gyémánttartalmú minta-preparációban és Ǻ (angström) mérettartományban végzett mikroszkópos anyagvizsgálattal járult hozzá a fejlesztéshez. A most záruló MORGaN projekt jelentése külön hangsúlyozza, hogy a kiemelkedő színvonalú magyar szakértelem segítette a gyémántrétegek nanoszerkezetének vizsgálatát, amelyre a világon csak kevesen képesek.
„Óriási munkán vagyunk túl, és nagy elismerés, hogy egy ilyen jelentős nemzetközi projekt zárásakor külön kiemelték teljesítményünket. A nanotartományban történő vizsgálatoknak komoly hagyományai vannak az MTA MFA-ban, de a világszínvonalú munkához elengedhetetlen a korszerű eszközpark.” – fogalmazott dr. Pécz Béla, az MTA doktora, az MFA igazgatóhelyettese, a projekt magyar részének irányítója.